Dmitriev_Esche_ne_pozdno_3_Razbeg_Pandoryi | страница 61



 ... В Ленинград мы с Анатолием нагрянули с утра, давно хотел посмотреть, как идут дела у Алферова. Я никак не ожидал, что с копированием простейших на первый взгляд полупроводников возникнут такие серьезные проблемы. Ученый во всю эксплуатировал карт-бланш имени Шелепина, его небольшая лаборатория разрослась раз в десять, превратилась в отдельное НИИ, и успела переехать в симпатичное новое здание. Золото на закупки оборудования заграницей текло рекой. Но результаты были более чем скромными.

 Жорес Иванович начал с осторожных попыток выведать у меня источник "фантастических, совершенно невозможных гетероструктур". Пришлось кроме расплывчатых намеков пообещать ему к зиме достать кучку "новейших" фотоприемников. Если, конечно, "нашим людям" повезет в их нелегком труде на благо коммунизма во всем мире. Обрадованный ученый охотно провел миниэкскурсию и рассказал о проблемах, суть которых, увы, я понять полностью не смог. Если кратко, то структура образцов лазеров оказалась слишком сложной для советской науки 66-го года. Это я по неграмотности думал, что реальный полупроводник похож на схематические рисунки из 2010 года. В реальности оказалось, что все дело в наращенных на специальной подложке тончайших пленках с какими-то полосками-страйпами, и прочими квантовыми точками.

 Поэтому в изучении структуры не слишком помог даже чудесный сканирующий микроскоп "Stereoscan", закупленный с помощью какой-то ужасно детективной истории и астрономического количества валюты. Слишком много областей на кристалле нужно было исследовать с его помощью. Впрочем, прибор эксплуатировали в уже привычном для микроэлектронной промышленности четырехсменном режиме, и, как по секрету сообщил Алферов, полезных фактов успели собрать не на одну диссертацию.

 \\\В 1965 году фирмой "Cambridge Instrument Co." был выпущен первый коммерческий сканирующий электронный микроскоп -- "Stereoscan".\\\

 Единственное, в чем ученые были уверены - так это в непригодности существующей методики газотранспортной эпитаксии к повторению предоставленных мной образцов. Образно говоря: "нельзя ювелирные работы делать кувалдой". Поэтому весь коллектив НИИ готовился свернуть горы на пути к принципиальному усовершенствованию технологии. Работали ребята весело и с ненаигранным азартом.

 \\\Газофазная эпитаксия -- получение эпитаксиальных слоев полупроводников (т. е. ориентировано выращенных на специальной подложке) путём осаждения компонентов нужного состава из потока газа, движущегося с небольшой скоростью. Один из основных методов в середине 60-х (наряду с жидкофазной эпитаксией).\\\