В 1913 Иоффе установил статистический характер вылета отдельных электронов при внешнем фотоэффекте. Иоффе совместно с М. В. Кирпичевой впервые выяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916–1923). Совместно с сотрудниками Кирпичевой и М. А. Левитской в 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов. Было также показано, что прочность твердых тел повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; это привело к разработке высокопрочных материалов (1942-47). В исследованиях Иоффе разработан рентгеновский метод изучения пластической деформации. В 1931 Иоффе впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и предпринял их всестороннее исследование. Им (совместно с А. В. Иоффе) была создана методика определения основных величин, характеризующих свойства полупроводников. Исследование Иоффе и его школой электрических свойств полупроводников (1931-40) привело к созданию их научной классификации. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники – термо – и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. В 1942 удостоен Государственной премии за исследования в области полупроводников. Важнейшая заслуга Иоффе – создание школы физиков, из которой вышли многие крупные советские ученые (А. П. Александров, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. К. Кикоин, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семенов, Я. И. Френкель и др.). Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый тип физического факультета – физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков в Политехническом институте в Петрограде (1918). Награжден 3 орденами Ленина. В 1961 Иоффе посмертно присуждена Ленинская премия. Почетный член многих АН и научных обществ мира.
