(ФТИ), который более трех десятилетий и возглавлял А.Ф. Иоффе. Наряду с созданием ФТИ, А.Ф. Иоффе принадлежит заслуга организации в 1919 г. при Политехническом институте
факультета нового типа: физико-механического, деканом которого он также был более 30 лет. Научная работа А.Ф. Иоффе была сосредоточена в стенах ФТИ, одной из лабораторий которого он неизменно заведовал, хотя тематика ее исследований, как и название, претерпели изменения. В 20-е годы основным направлением работы было изучение механических и электронных свойств твердого тела.
Начало 30-х годов ознаменовалось переходом ФТИ на новую тематику. Одним из основных направлений стала ядерная физика. А.Ф. Иоффе непосредственно ею и занимался, но наблюдая стремительный подъем этой области физики, быстро оценил ее грядущую роль в дальнейшем прогрессе науки и техники. Поэтому с конца 1932 г. физика ядра прочно вошла в тематику работ ФТИ. Он является создателем новой научной школы, давшей многих выдающихся советских физиков, таких как А. Александров, Я. Дорфман, П. Капица, И. Кикоин, И. Курчатов, Н. Семенов, Я. Френкель и другие.
С начала 30-х годов собственная научная работа А.Ф. Иоффе сосредоточилась на другой проблеме – проблеме физики полупроводников, и его лаборатория в ФТИ стала лабораторией полупроводников.
В 1950 г. А.Ф. Иоффе разработал теорию, на основе которой были сформулированы требования к полупроводниковым материалам, используемым в термобатареях и обеспечивающим получение максимального значения их КПД. Вслед за этим в 1951 г. Л.С. Стильбансом под руководством А.Ф. Иоффе и Ю.П. Маслаковца был разработан первый в мире холодильник. Это послужило началом развития новой области техники – термоэлектрического охлаждения.
Если попытаться составить список научных и гражданских достижений Абрама Федоровича Иоффе, то в него можно было бы включить следующие основные позиции:
Измерение заряда электрона.
Обнаружение и измерение магнитного поля катодных лучей.
Открытие внутреннего фотоэффекта кристаллов.
Открытие и исследование механизма электропроводности ионных кристалов.
Объяснение величины реальной прочности кристаллов ('эффект Иоффе').
Открытие эффекта прерывистой деформации кристаллов, сопровождаемой акустической эмиссией.
Создание теории туннельного выпрямления на границе металл-полупроводник.
Исследование электропроводности полупроводников в сильных и слабых полях.
Абрам Иоффе – один из инициаторов создания Дома ученых в Ленинграде (1934).
