"Сейчас пойму", - шепнул он мне.
"А теперь, продолжил лектор, - чтобы двигаться дальше, введем оператор вторичного квантования..." Сосед мой шумно отодвинул стул, встал и вышел.
Кажется выругался. Но за это я поручиться не могу .
Одесское пятиборье
Рассказы о Зимних школах я хочу закончить печальной историей о школе весенней.
Майскую школу по теоретической физике в Одессе по сю пору многие теоретики вспоминают с ностальгическим всхлипом. Можно было приехать с женой. Если очень хотелось - с ребенком. Море, солнце, прогретый песок...
Большинство школьников нежилось на пляже в перерыве между лекциями. Послышался характерный "теоретический" гвалт, и кое-кто поднял голову. По дорожке к морю шли, жестикулируя, пятеро молодых мужчин . "Одесское пятиборье", - недовольно пробурчал кто-то.
Шли:
Боря Альтшуллер - профессор Принстонского Университета, США
Боря Гельмонт - профессор Университета Вирджиния, Шарлоттсвиль, США.
Боря Лайхтман - профессор Иерусалимского Университета, Иерусалим, Израиль
Боря Спивак - профессор Университета штата Вашингтон, Сиэтл, США
Боря Шкловский - профессор Университета Миннесота, Директор Института Теоретической физики, Миннесота, США
Симпозиум по физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах
Вильнюс, 10 - 12 июня 1971г.
Такси везет четырех молодых теоретиков и одного экспериментатора из Вильнюса в Тракай. Не то, чтобы на Симпозиуме по физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах (Вильнюс, 10 - 12 июня 1971г.) был выходной день. Скорее, напротив. Но ни у кого из участников пикника сегодня доклада нет. В руках у одного из них - сборник тезисов Симпозиума.
Первой жертвой пал В.Л. Бонч-Бруевич. Вот как выглядели тезисы:
Бесполевой нагрев носителей заряда.
О НЕКОТОРЫХ ОСОБЕННОСТЯХ НАГРЕВА НОСИТЕЛЕЙ
ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С БОЛЬШИМИ ДЛИНАМИ СВОБОДНОГО ПРОБЕГА.
В.Л. Бонч-Бруевич, Я.Г. Пройкова (Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова)
1. Бесполевой нагрев носителей заряда в пространственно- неоднородном полупроводнике. Роль соотношения между длиной свободного пробега и длиной экранирования.
2. Влияние магнитного поля на бесполевой нагрев
3. Устойчивость неоднородного стационарного состояния относительно флуктуаций функции распределения. Условие флуктуационной неустойчивости системы.
4. Случай электронной температуры. Гидродинамический расчет нагрева электронного газа в неоднородной системе.
Вот как выглядело переложение:
