атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (
туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов)
, отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.
ЛПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f>0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f>0/f>n, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).
Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p>+-n-i-n>+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р>+-n и р-n>+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).
Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ, М., 1968.
В. М. Вальд-Перлов.
Лави'нный транзи'стор,транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р>+-р и n>+-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т. — возможность получения отрицательного сопротивленияв цепи «эмиттер — коллектор» и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10>-9сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100
