Экспериментальные и теоретические исследования всех этих явлений в НИИМЭ велись, как принято говорить, на мировом уровне и в нашей стране у нас не было конкурентов. Судя по литературе, ряд полученных результатов нашел признание и за рубежом. К сожалению, все работы, связанные с фазовыми переходами в двуокиси ванадия, и созданием голографических запоминающих устройств были полностью прекращены в 1977 году и в настоящее время у нас в стране практически не ведутся. В те времена наблюдался сильный прогресс в создании полупроводниковых СБИС памяти, и голографическое направления стало представляться неперспективным.
Хочу еще раз подчеркнуть, что подобные исследования за рубежом практически не проводились и НИИМЭ можно было считать первопроходцем в этой области. Что касается явления и теории фазового перехода в окислах ванадия, то интенсивные исследования в этой области за рубежом практически остановились в 1987 году, по-видимому в связи с переключением внимания большинства работавших в этом направлении физиков-теоретиков на осмысление механизма высокотемпературной сверхпроводимости в окислах со слоистой структурой типа перовскита, открытой И.Беднорцем и К.Мюллером в филиале фирмы IBM в Цюрихе. Возможно, если бы исследования окислов ванадия были бы продолжены у нас в стране, открытие высокотемпературной проводимости могло бы произойти в НИИМЭ, а не в IBM.
Кроме кризиса теоретических работ, следует вспомнить и о быстро наступившем коллапсе разработок оборудования для микроэлектроники. Полупроводниковые технологии сильнейшим образом «завязаны» на технологическое оборудование. Нынешнее наше отставание в этих технологиях многие напрямую связывают с отсутствием у нас разработчиков и изготовителей такого оборудования и нехваткой средств для приобретения зарубежного. Как решались проблемы с оборудованием? Оно частично закупалось за рубежом, частично изготавливалось по зарубежным образцам (т.е. опять-таки копировалось!) на созданном в Зеленограде специальном машиностроительном предприятии. Сегодня ничего этого нет.
К сожалению, следует отметить, что в наши дни практически повторяется ситуация, имевшая место в отечественной истории микроэлектроники, только на этот раз она связана с новыми, перспективными полупроводниковыми технологиями (нано- и гетероструктуры, твердотельные ЯМР-квантовые компьютеры и некоторые другие). До сих пор не удается организовать ни в нашем институте, ни в каком-либо другом учреждении полномасштабные экспериментальные исследования по этим направлениям. Это связано как с общими трудностями, переживаемыми Россией, с отсутствием средств на приобретение необходимого оборудования, так и с падением былого престижа научной карьеры среди молодежи. Если удастся в ближайшие годы наряду с теоретическими исследованиями развернуть отечественные экспериментальные исследования с простейшими прототипами полупроводниковых квантовых компьютеров, то наша наука получит шанс не оказаться среди аутсайдеров в начинающейся «игре». Но если эксперименты с этими приборами начнутся в России с опозданием по сравнению с другими странами, догнать, как показал опыт Зеленоградской микроэлектроники, будет уже невозможно.
