- В 1990-е «Микрон» производил такие микросхемы. Сейчас мы ушли с этого рынка из-за низкой нормы прибыли. Насколько мне известно, большое количество чипов для часов и калькуляторов производит «Ангстрем».
Какую продукцию «Микрон» поставляет на мировой рынок?
- Завод специализируется на силовой электронике. Мы будем развивать это направление как профильное по принципу вертикальной интеграции продуктов: предложим рынку пластины, микросхемы и интеллектуальные силовые модули.
Мировой рынок компонентов управления силовым электропитанием в 2004 года составил $17 млрд. (7% от всего рынка полупроводников). Сегодня и в России, и в Азии заказчик имеет возможность выбирать: купить ему дорогую микросхему International Rectifier, дешевую китайскую или надежный чип «Микрона».
Объем рынка силовых компонентов в России сегодня составляет $54,5 млн. Это очень перспективный сегмент - темпы его роста оцениваются в 40% в год, тогда как рост всего рынка электронных компонентов не превышает 20%.
Главными потребителями мощных полупроводниковых компонентов являются предприятия добывающей отрасли, энергетического комплекса и ВПК, то есть вполне успешные в своем бизнесе и платежеспособные структуры.
Будущее - в прошедшем времени
Наше отставание в области микроэлектроники от мирового уровня в 60-е годы оценивалось примерно в 5 лет. Так первый планарный транзистор был создан в НИИМЭ в отделе Е.П. Дробышева в 1965 г. (через 6 лет после американской фирмы Fairchild Semiconductor). Именно это, по-видимому, и было основной причиной того, что в нашей стране был широко распространен метод копирования добытых спецслужбами оправдавших себя «зарубежных аналогов» и при этом очень вяло осваивались оригинальные отечественные разработки, которые для этого должны были «внедряться», то есть обязательно преодолевать разнообразные, по большей части бюрократические, препятствия.
Технологическое отставание ликвидировать так и не удалось, да и трудно было это сделать в условиях роли постоянно догоняющего, даже при сравнительно щедро отпускаемых средствах. В 70-х на заводе «Микрон» гордились освоением технологических норм производства СБИС, соответствующих отставанию минимум на 10 лет. А к 1977 году стало ясно, что в создавшихся тогда административно-организационных условиях в отрасли очень трудно будет это отставание сколько-нибудь сократить.
В НИИМЭ осуществлялись не только конструкторские и технологические разработки. Достаточно широко и на хорошем научном уровне проводились поисковые экспериментальные и теоретические исследования. За 22 года, которые я проработал в НИИМЭ, мне приходилось не раз менять направление своей деятельности: переключаться с теории пробоя в полупроводниках на теорию высокотемпературной сверхпроводимости и фазовых переходов металл-полупроводник, затем на теорию интерференционных и дифракционных оптических явлений в тонкопленочных структурах и, наконец, на моделирование транзисторных микроэлектронных структур субмикронных размеров. Были развернуты работы по созданию оперативной голографической памяти большой емкости на основе пленок двуокиси ванадия и получены уникальные результаты.
