Компьютерра, 2005 № 38 (610) | страница 13

Попутно авторы статьи обсуждают роль танца в становлении Homo sapiens как вида и недавно обнаруженную связь между действием серотонина и духовно-религиозными переживаниями людей. - С.Б.

На очередной конференции по новым технологиям, прошедшей недавно в Кембридже, Массачусетская инновационная компания Nantero продемонстрировала экспериментальный образец кремниевой пластины диаметром 13 см, способной хранить десять гигабит информации с помощью структуры углеродных нанотрубок.

Над развитием технологии энергонезависимой NRAM-памяти Nantero активно работает несколько последних лет. Каждая запоминающая ячейка представляет собой мостик из углеродных нанотрубок длиной 130 нм, протянутый между двумя электродами над третьим на высоте 13 нм. В состоянии соответствующем логическому нулю нанотрубки не касаются третьего электрода и висят над ним за счет механического натяжения. Но если нанотрубки зарядить, то они провиснут, притянутся к третьему электроду и образуют с ним электрический контакт. В таком положении нанотрубки будут удерживаться сколь угодно долго за счет силы Ван-дер-Ваальса, даже если электростатического притяжения больше нет. Это состояние означает логическую единицу, которую легко считать, проверив, течет ли ток по нанотрубкам к третьему электроду. Заряд противоположной полярности вернет нанотрубки в состояние логического нуля.

Помимо значительно большей емкости (потенциально) и на порядок более высокой скорости переключения по сравнению с традиционной флэш-памятью, NRAM имеет еще целый ряд преимуществ. Например, она устойчива к действию радиации (что очень полезно в космосе) и практически не портится со временем.

В настоящее время Nantero активно сотрудничает с несколькими крупными производителями полупроводниковых устройств, которые намерены интегрировать процесс крепления нанотрубок в технологии производства обычных транзисторов. Этого достаточно для начала массового производства чипов NRAM, прототипы которых должны быть готовы к лету будущего года. - Г.А.

Наноструктуру с рекордной плотностью магнитной записи удалось вырастить ученым из Федеральной политехнической школы Лозанны и Парижского университета.

Как известно, плотность записи информации на жесткий диск имеет теоретический предел, обусловленный магнитным взаимодействием соседних битов. Но как близко можно к нему подойди и как это сделать? От ответа на эти вопросы во многом зависят дальнейшие пути развития индустрии хранения данных.