Схемотехника аналоговых электронных устройств | страница 7

◆ дополняют матрицу исходных Y-параметров Y_>э до неопределенной Y_>н, а именно, если

то

◆ вычеркивают строку и столбец, соответствующие общему узлу схемы (б для ОБ, к для ОК), получая матрицу Y-параметров для конкретной схемы включения транзистора.

Полевыми транзисторами (ПТ) называются полупроводниковые усилительные приборы, в основе работы которых используются подвижные носители зарядов одного типа — либо электроны, либо дырки. Наиболее характерной чертой ПТ является высокое входное сопротивление, поэтому они управляются напряжением, а не током, как БТ.

Рисунок 2.8. Эквивалентная схема ПТ

Определяются малосигнальные Y-параметры ПТ по его эквивалентной схеме. Для целей эскизного проектирования можно использовать упрощенный вариант малосигнальной эквивалентной схемы ПТ, представленный на рис.2.8.

Данная схема с удовлетворительной для эскизного проектирования точностью аппроксимирует усилительные свойства ПТ независимо от его типа, параметры ее элементов находятся из справочных данных

Выражения для эквивалентных Y-параметров ПТ, включенного по схеме с ОИ определяют по методике п. 2.3:

Y_>11з = jωC_>зи,

Y_>12з = jωC_>зс,

Y_>21и = S_>0e^>jωτ,

Y_>22и = g_>i + jωC_>си.

Где з, с, и соответственно затвор, сток и исток ПТ; τ — время пролета носителей, τ=C_>зи/S_>0.

Граничную частоту единичного усиления ПТ f_>T можно оценить по формуле:

f_>T = 1/2πτ.

Анализ полученных выражений для эквивалентных Y-параметров ПТ, проведенный с учетом конкретных численных значений справочных параметров, позволяет сделать вывод о незначительной зависимости крутизны от частоты, что позволяет в эскизных расчетах использовать ее низкочастотное значение S_>0. При отсутствии справочных данных о величине внутренней проводимости ПТ g_>i, в эскизных расчетах можно принимать g_>i≈0 ввиду ее относительной малости.

Пересчет эквивалентных Y-параметров для других схем включения ПТ осуществляется по тем же правилам, что и для БТ.