Схемотехника аналоговых электронных устройств | страница 24
Рисунок 2.42. АЧХ и ПХ каскадов с простой параллельной индуктивной коррекцией
Для оценки эффективности УУ вводят понятие площади усиления П для ШУ и импульсной добротности D для ИУ:
Π = K>0·f>в,
D = K>0/t>у,
Π = 0,35·D.
Как видно из рисунка 2.42, максимальный выигрыш по этим параметрам в каскаде на ПТ для рассмотренного варианта коррекции и отсутствии подъема АЧХ на ВЧ (выброса ПХ в области МВ), составляет 1,73 [6] раза. Следует подчеркнуть, что данный выигрыш получается при условии когда R>н>>R>с, что обычно имеет место при использовании каскада на ПТ в качестве промежуточного в УУ.
В каскадах на БТ (схема не приводится ввиду ее подобия рисунку 2.41) анализ эффективности простой параллельной индуктивной коррекции сложнее из-за необходимости учета частотной зависимости крутизны БТ,
Выражение для относительного коэффициента передачи имеет вид [6]:
здесь τ>в=τ+τ>1+τ>2 — постоянная времени каскада без коррекции на ВЧ; m=L>с(R>к·τ>в) — коэффициент коррекции; х=(τ+τ>1)/τ>в — отношение составляющих постоянной времени каскада.
Данное выражение не позволяет однозначно оценить выигрыш, даваемый простой параллельной индуктивной коррекцией в каскадах на БТ, поэтому либо приходится прибегать к помощи ЭВМ, либо пользоваться таблицами, приведенными, например, в [6]. Анализ показывает, что выигрыш в площади усиления (импульсной добротности) может достигать величины, равной 0,5S>0r>б, т.е. величины, большей двух раз (теоретически до 20, практически 2…10).
Анализ так же показывает, что простая параллельная индуктивная коррекция в каскаде на БТ наиболее эффективна при малых х, что соответствует случаю применения относительно низкочастотных транзисторов.
В целом же следует заметить, что, несмотря на некоторую эффективность, простая параллельная индуктивная коррекция в современной схемотехнике УУ используется редко. Это объясняется, в первую очередь, технологическими трудностям реализации индуктивностей в ИМС, и сильной зависимостью эффекта коррекции от параметров транзистора, что требует подстройки схемы в случае их разброса. Возможно использование вместо катушки индуктивности индуктивного входного сопротивления каскада с ОБ (рисунок 2.43).
Рисунок 2.43. Коррекция входным сопротивлением каскада с ОБ
Индуктивность транзистора VT2 между эмиттером и общим проводом равна:
L = (r>б + R)/2πf>Tk,
где k=(1,2…1,6).
Резистор R служит для увеличения индуктивности и ее подстройки (при гибридно-пленочной технологии лазерной подгонкой или выносными резисторами).
