Элементы схемотехники цифровых устройств обработки информации | страница 51

выборка элемента памяти из массива производится по двум координатам. Код адреса разрядностью n делится на две половины и используются два дешифратора: по строкам и по столбцам. При этом число выходов двух дешифраторов равно 2^>n/2+2^>n/2=2^>n/2+1. Если n=8, то число выходов дешифраторов равно 2^>4+2^>4=32, а количество элементов памяти равно 2^>n/2·2^>n/2=2^>n=256. В структуре 2D-типа, как уже было отмечено выше, потребовался бы более сложный дешифратор на 256 выходов.

Таким образом, с помощью двух дешифраторов, имеющих небольшое число выходов, осуществляется доступ ко всем элементам памяти микросхемы.

Структура 3D может применяться и в ЗУ с многоразрядной организацией, принимая при этом «трёхмерный» характер. В этом случае несколько матриц управляются от двух дешифраторов, относительно которых матрицы включены параллельно.

состоит из дешифратора, который выбирает целую строку. Однако, в отличие от структуры 2D, длина строки многократно превышает разрядность хранимых слов. При этом число строк уменьшается и, следовательно, уменьшается число выводов дешифратора.

Выбор строк матрицы памяти производится с помощью старших разрядов адреса A_>n>-1…A_>k. Остальные k разрядов используются для выбора необходимого m-разрядного слова из множества слов, содержащихся в строке.

Рисунок 66 Структура ЗУ типа 2DM для ROM

Это выполняется с  помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды A_>k>-1…A_>0. Длина строки равна m·2^>k, где m — разрядность слов.

Из каждого отрезка строки, длиной 2^>k, мультиплексор выбирает один бит. На выходах m мультиплексоров формируется выходное m-разрядное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы OE управляемых буферов с тремя выходными состояниями, выходное слово передаётся на внешнюю шину.