Элементы схемотехники цифровых устройств обработки информации | страница 17
| U>1>ВЫХ.пор | -0,98 | -1,035 |
| Время задержки распространения, нс | 2,9 | 1,5 |
| Допустимое напряжение помехи, В | 0,125 | 0,125 |
| Коэффициент разветвления K>РАЗ | 15 | — |
| Напряжение питания, В | -5,2; -2,0 | -4,5; -2,0 |
| Потребляемая мощность на элемент, мВт | 8…25 | 40 |
3.4 Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС)
В схеме элемента ТЛНС сопротивление нагрузки включено в цепь соединенных коллекторов двух транзисторов (Рисунок 15,а). Входные сигналы X1 и X2 подаются на базы этих транзисторов. Если X1 и X2 одновременно равны «лог 0», то оба транзистора закрыты и на выходе схемы будет высокий потенциал Y=1. Если хотя бы на один, или на оба входа, подать высокий потенциал «лог 1», то один или оба транзистора открыты и на выходе схемы будет низкий потенциал Y=0. Таким образом, схема выполняет операцию ИЛИ-НЕ.
Рисунок 15 ЛЭ НСТЛ а) и входные характеристики транзисторов нагрузки б).
Как видно, схема элемента НСТЛ предельно проста, однако у неё есть существенный недостаток. Когда на выходе элемента установлен потенциал лог. «1», на базы транзисторов нагрузок, как показано на рисунке 15,а пунктиром, подаётся постоянный потенциал U¹. Из-за разброса параметров транзисторов (см. рисунок 15,б), токи баз транзисторов могут существенно различаться. В результате один из транзисторов может войти в глубокое насыщение, а другой — находиться в линейном режиме. При этом уровни «лог.1» будут существенно различаться, что неизменно приведёт к сбоям в работе устройства в целом. Поэтому схема ЛЭ НСТЛ применяется только на транзисторах, управляемых напряжением.
3.5 Интегральная инжекционная логика
Элементы интегральной инжекционной логики (И²Л) не имеют аналогов в дискретной схемотехнике и могут быть реализованы только в интегральном исполнении (рисунок 16,а). Элемент И²Л состоит из двух транзисторов: горизонтальный p-n-p-транзистор выполняет роль инжектора, а вертикальный многоколлекторный n-p-n-транзистор работает в режиме инвертора. Общая область n-типа служит базой p-n-p-транзистора, а также эмиттером n-p-n-транзистора и подключается к «заземлённой» точке. Коллектор p-n-p-транзистора и база n-p-n-транзистора также являются общей областью. Эквивалентная схема приведена на рисунке 16,б.
Рисунок 16 Транзистор с инжекционным питанием: а — структурная схема, б — эквивалентная схема, в — эквивалентная схема с генератором тока.
В цепь эмиттер-база инжектора подаётся напряжение питания U>ПИТ. Минимальное напряжение источника определяется падением напряжения на эмиттерном переходе:
