. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся
дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. И. в. позволяет вводить в разные
полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. И. в. позволяет создать в полупроводниковом кристалле
электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту
транзисторов.
Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., М., [в печати]; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971.
Ю. В. Мартыненко.
Ио'нное произведе'ние воды', произведение концентраций (точнее активностей) ионов водорода Н>+ и ионов гидроксила OH>— в воде или в водных растворах: K>B = [Н>+] [ОН>—]. См. Водородный показатель.
Ио'нно-сорбцио'нный насо'с, вакуумный насос, в котором химически активные газы удаляются за счёт сорбции их геттерами, а инертные газы — в результате интенсивной ионизации в виде ионов под действием электрического поля. С помощью И.-с. н. достигают разрежения 10>-7н/м>2 (10>-9мм рт. ст.).
Ионно-электронная эмиссия
Ио'нно-электро'нная эми'ссия, испускание электронов поверхностью твёрдого тела в вакуум под действием ионной бомбардировки. Явление И.-э. э. используется в электронных умножителях, электронных микроскопах, а также при изучении физики плазмы, структуры твёрдых тел и дефектов этой структуры.
Лит. см. при ст. Электронная эмиссия.
Ио'нные криста'ллы, кристаллы, в которых сцепление частиц обусловлено преимущественно ионными химическими связями (см. Ионная связь). И. к. могут состоять как из одноатомных, так и из многоатомных ионов. Примеры И. к. первого типа — кристаллы галогенидов щелочных и щёлочноземельных металлов, образованные положительно заряженными ионами металла и отрицательно заряженными ионами галогена (NaCl, CsCl, CaF>2, см. рис.). Примеры И. к. второго типа — нитраты, сульфаты, фосфаты, силикаты и др. соли этих же металлов, где отрицательные ионы кислотных остатков состоят из нескольких атомов. Кислотные остатки могут объединяться в длинные цепи, слои, а также образовывать трёхмерный каркас, в пустотах которого размещаются ионы металла. Такие образования встречаются, например, в кристаллических структурах
