Хотелось бы,
конечно, чтобы и разработчик, и желающие
пообщаться в Сети больше уделили времени
тому, что есть, а именно "Висте",
которая сама по себе ох как далека от
идеала. Всякие домыслы лишь отвлекают от
дел насущных. А сроки и передвинуть
можно. Предлагаем, к примеру, приурочить
выход релиза к сочинской олимпиаде.
Windows Sochi - чем не название? АБ
Сдвиг по фазе
Традиционная
флэш-память, несмотря на ее повсеместное
распространение, имеет два существенных
недостатка. Во-первых, накопители
большого объема недешевы, а во-вторых,
характеристики флэшки ухудшаются с
течением времени. В качестве
альтернативы рассматриваются несколько
перспективных типов запоминающих
устройств - в частности, так называемая
магниторезистивная память (MRAM) и
память с изменяемым фазовым состоянием
(PRAM). Недавно проект очередного
"преемника флэшек" предложила
калифорнийская фирма
Nanochip.
Прежде чем перейти к
рассмотрению технологии, над которой она
работает, вкратце расскажем о самой
компании, основанной в 1996 году. Среди
ее спонсоров несколько известных
корпораций, в том числе вездесущая
Microsoft. А в январе этого года
Nanochip получила на дальнейшие
исследования 14 млн. долларов от Intel и
JK&B Capital. Компания, кстати, уже
имеет семь патентов и еще 34 заявки
находятся на стадии рассмотрения.
Теперь
собственно о новой методике. Nanochip
предлагает совместить энергонезависимую
память PRAM с массивом крошечных
"головок" чтения/записи, управляемых
микроэлектромеханической системой.
Принцип работы памяти PRAM, напомним,
основан на свойстве халькогенидных
материалов принимать два стабильных
фазовых состояния: аморфное с высоким
электрическим сопротивлением (логический
ноль) и кристаллическое с низким
сопротивлением (единица). Переход из
одной формы в другую осуществляется
путем изменения температуры.
По
замыслу Nanochip, в накопителях нового
типа будут использоваться очень тонкие
пластины с халькогенидным покрытием, а
размеры однобитной ячейки составят 15x15
нм (в перспективе до 2х3 нм). В
результате плотность хранения данных
теоретически может составить терабит на
квадратный дюйм.
На следующий год
Nanochip запланировала выпуск пробных
образцов. Массовое же производство, если
все пойдет хорошо, ожидается в 2010
году. Компания намерена начать с чипов
емкостью 100 Гбайт и далее ежегодно
удваивать их объем. Представители
Nanochip подчеркивают, что по сравнению
с традиционной энергонезависимой памятью
новая технология позволит в несколько
раз снизить себестоимость производства.
Да и скорости чтения/записи данных
обещают быть куда выше. Осталось
дождаться исполнения обещаний. ВГ
