«Наука и Техника» [журнал для перспективной молодежи], 2007 № 07 (14) | страница 52

Один из барьеров на пути троичной и более многозначных логик — то, что для демонстрации их выгоды чаше всего используются арифметические примеры. Это, конечно, очень важно, но много инженеров и не конструируют арифметические цепи вычислений. Лично я обращаю внимание на приложения вроде обработки троичных и многоуровневых сигналов — как на наиболее многообещающую область для таких логик. Если бы я имел время я разработал бы игру вроде Ханойских Башен или Nimh в троичной или четверичной логической схеме и сравнил бы это с двоичной разработкой.

Если выгоды будут притягательны, то сложность троичной логики не будет

решающим фактором на пути ее применения для ведущих инженеров. И я надеюсь, что они снова обратят взгляд в прошлое, на некоторые идеи и концепции уже ранее обсуждавшиеся, но затем незаслуженно отправленные в мусорную корзину при движении по путям, направленным к достижению гигагерцевых тактовых частот и процессоров из многих миллионнов транзисторов. Это не были плохие идеи, но это были лишь идеи, которые не вписывылись в тогдашние потребности рынка. Однако времена меняются, меняются и запросы рынка.

Не так давно в рамках проекта ITRS уже состоялась встреча представителей, на которой был рассмотрен вопрос о различных добавлениях к уже принятому плану 2003 года, вроде совместной договоренности о развитии технологий беспроводного обмена данными. Среди этих добавлений, которые, скорее всего будут одобрены и приняты, как уже говорилось — технологии беспроводного обмена данными, базирующиеся на использовании полупроводниковых кремний-германиевых, арсенид-галлиевых и фосфид-индиевых элементов, которые могут обеспечить работу на тактовых частотах, приближающихся к 100 ГГц. Эти добавления очень важны для будущих беспроводных технологий обмена данными, поскольку это позволит достичь скоростей передачи данных, эквивалентных возможности проводного Интернета или даже превышающих их.

Лично я нахожу упоминание кремний-германиевых элементов наиболее интересным и многообещающим аспектом этого плана, учитывая как они подходят для использования многозначной логики. Помимо улучшения рабочих характеристик, чему в плане уделено наибольшее внимание, наибольшее значение может иметь тот факт, что подобно элементам, основанным на сочетаниях GaAs, GaAsP, InP и других экзотических комбинациях, полупроводниковые приборы, построенные на сочетании SiGe являются гетеропереходными, т. е. органически способными к образованию множества пороговых уровней.