PIC-микроконтроллеры. Все, что вам необходимо знать | страница 30

или сокращенно ОЗУ. Словосочетание «произвольный доступ» означает, что для выбора любого слова памяти требуется одно и тоже время, не зависящее от расположения этого слова в матрице[41]. Этим ОЗУ отличается от памяти на магнитной ленте, в которой бобина должна прокрутиться до требуемого сектора. А если этот сектор находится в конце ленты…

Для примера на Рис. 2.26 показана микросхема ОЗУ 6264[42]. Она содержит матрицу из 65 536 (2^>16) бистабильных ячеек, организованных в виде матрицы из 8192 (2^>13) 8-битных слов. Слово n выбирается при подаче на линии адреса А0…А12 двоичного числа n.

В режиме чтения (R/W¯= 1) на выходы I/O7…I/O0 выдается n-е слово данных, определяемое n-й комбинацией битов адреса. Символ «А» в обозначении входов/выходов (как и на Рис. 2.12) указывает на эту взаимосвязь. Для включения выходных буферов с тремя состояниями на входе 

должен быть НИЗКИЙ уровень.

Адресованное слово записывается в память при R/W¯ = 0. Байт данных, который должен быть записан в n-ю ячейку, подается на входы I/O7…I/O0. Такая двунаправленная передача данных является отличительной особенностью компьютерных шин.

В обоих случаях микросхема ОЗУ должна быть выбрана подачей лог. 0 на вывод 

и лог. 1 — на вывод CS2. В зависимости от версии микросхемы интервал между подачей сигналов выборки и началом обращений к ней составляет от 100 до 150 нc. Если напряжение питания не пропадает, время хранения данных не ограничено. По этой причине микросхема 6264 называется статическим ОЗУ (SRAM). Вместо того чтобы использовать для хранения одного бита пару транзисторов, данные можно хранить в виде заряда емкости затвор-исток одного полевого транзистора. Время рассасывания подобного заряда составляет несколько миллисекунд, поэтому заряд необходимо периодически обновлять. Такая динамическая память (DRAM) дешевле в изготовлении, и микросхемы данного типа имеют большую емкость. Обычно память подобного типа используется там, где требуется очень большой объем памяти, например в персональных компьютерах. В этом случае стоимость схемы регенерации компенсируется дешевизной микросхем памяти.

Оба типа памяти являются энергозависимыми, т. е. они не сохраняют свое содержимое после выключения питания. Однако некоторые микросхемы статического ОЗУ позволяют хранить данные при напряжении, которое ниже, чем рабочее, потребляя при этом очень маленький ток. В таких случаях для сохранения содержимого в течение нескольких месяцев можно использовать батарею.