PIC-микроконтроллеры. Все, что вам необходимо знать | страница 22

, то он не проводит ток, и на линии Y присутствует лог. 0. Транзистор VT2 включается последовательно с линией V_>DD и, таким образом, выполняет роль программируемого элемента. Этот транзистор имеет дополнительный, никуда не подключенный затвор, скрытый в слое изолирующего диоксида кремния. В нормальном состоянии заряд на затворе отсутствует, и транзистор VT2 закрыт. Если на затвор подать импульс напряжения программирования величиной 20…25 В, то отрицательные заряды туннелируются через очень тонкий слой изолятора, окружающий скрытый затвор. В результате транзистор VT2 перейдет в открытое состояние и таким образом подключит VT1 к шине питания. Это приведет к появлению лог. 1 на линии Y при выборе данной ячейки внутренним дешифратором.

Рис. 2.13.Перемычка на МОП-транзисторе с плавающим затвором

Величина инжектированного заряда остается более или менее постоянной до тех пор, пока затвор не будет подвергнут ультрафиолетовому облучению. Фотоны, обладающие большой энергией, выбивают электроны (отрицательный заряд) из скрытого (плавающего) затвора[34], за 20 мин разряжая его и стирая всю записанную информацию.

Существуют также структуры ППЗУ, которые можно стереть электрическим путем, причем часто непосредственно в устройстве. Наиболее распространены две разновидности структур — электрически стираемые ППЗУ (ЭСППЗУ, или EEPROM) и FLASH-ППЗУ. В первом случае импульс отрицательного напряжения КРР большой амплитуды приводит к просачиванию электронов из плавающего затвора. Обычно отрицательное напряжение формируется схемами, расположенными непосредственно на кристалле, что исключает необходимость в дополнительном источнике питания. FLASH-вариант ЭСППЗУ основан на эффекте инжектирования горячих электронов в затвор. Площадь, занимаемая ячейкой, в этом случае почти в 2 раза меньше обычной ячейки ЭСППЗУ, что увеличивает плотность упаковки памяти. Одна из промышленно выпускаемых микросхем EEPROM-памяти показана на Рис. 12.26 (стр. 439).

Большинство современных ЭППЗУ/ЭСППЗУ довольно быстрые, со временем доступа около 150 не. Процесс программирования происходит гораздо медленнее, около 10 мс на слово, однако это достаточно редкая операция. Программирование FLASH-памяти осуществляется почти в 1000 раз быстрее (на одну ячейку требуется около 10 мкс).

* * *

Все схемы, рассмотренные на данный момент, относились к классу комбинационных. Они не обладают «памятью» в том смысле, что значение их выходов зависит только от состояния входов в данный момент времени и совершенно не зависит от предыдущих событий, имевших место на входах. Такие же логические схемы, как защелки, счетчики, регистры и оперативная память (допускающая как чтение, так и запись), относятся к классу