.
Резистор R>1, как и завязка бантиком проводников в схеме варианта III, незначительно уменьшают потоки полуволн, состоящих из структур 3.0.1, 3.0.2.
Так с позиций ТЗЭС, функционируют сверхпроводники в схеме В. В. Авроменко.
Теперь, можно рассмотреть и причины выделения на резисторе R>2 завышенной тепловой мощности.
Вариант II схемы работает с более слабыми электронными потоками, чем варианты I и III. А для нагрева резистора необходимы именно потоки электронов 4.0.2. В такой схеме завышенную мощность, выделяемую на нагрузке R>2, можно объяснить за счет следующих факторов:
— движение электронов из зоны А в зону Б, как было показано, обеспечивает только полуволна, состоящая из структур 3.0.1. Полуволна из структур 3.0.2 не имеет массивных носителей заряда, способных приобретать ускорение и создавать эффективный нагрев. Полуволна из структур 3.0.2 способна только отталкивать электроны. Однако протолкнуть их через индуктивное сопротивление микроамперметра и высокоомный резистор R>2, удается в весьма ограниченном количестве. Поток из электронов 4.0.2 протекает через резистор R>2, при полуволне из структур 3.0.1, т. е. ток имеет пульсирующий характер. Подвижная система микроамперметра, да электростатического вольтметра не способны пульсировать с частотой в несколько килогерц. В результате вольтметр и микроамперметр показывают заниженные значения тока и напряжения. Другими словами, для данной схемы неправильно выбраны средства измерения. Необходимо осуществлять контроль токов и напряжений осциллографическими приборами;
— свободный пробег электронов в высокоомных резисторах составляет сотые доли миллиметра. Наибольшее разогревание резистора R>2 при таких пробегах электронов с учетом падения напряжения по длине резистора происходит в зоне, прилегающей к выводу Б. Структуры 3.0.1 в зоне Б способны разгонять электроны до более высоких скоростей и вызывать локальный нагрев. Такой нагрев резистора преимущественно в зоне вывода Б не является следствием роста тока, фиксируемого катушками микроамперметра. Другими словами, измерительные приборы, используемые В. В. Авраменко, выбраны без учета физических особенностей работы электрических схем.
Главное достоинство экспериментов В. В. Авраменко состоит в том, что они наглядно подтверждают, что электростатические поля состоят из двух типов структур, получивших в рамках ТЗЭС название электрических протонов 3.0.1 и антиэлектрических протонов 3.0.2.
