В результате структуры 3.0.1 (3.0.2) способны перемещаться не только в проводниках, но и в диэлектриках.
В первом варианте схемы В. В. Авраменко путь перемещения структур 3.0.1 и 3.0. 2 замыкается на обкладках конденсатора, собственной емкостью электростатического вольтметра и паразитной емкостью разрядника. Данные емкости способны накапливать на одной обкладке зарядоактивные протоны 5.0.1. На другой обкладке конденсаторов собираются свободные электроны 4.0.2. На обкладке конденсатора их удерживает поток структур 3.0.1 от активных протонов с противоположной пластины конденсатора.
По мере накопления в диэлектриках конденсаторов структур 3.0.1, 3.0.2, обслуживающих активные протоны и электроны, в конденсаторах создается заряд, достаточный для переноса электронов с контакта А разрядника на контакт Б, возникает искра. В результате недостаток электронов на контакте Б компенсируется с контакта А. Однако уже при первой полуволне, состоящей из структур 3.0.1, электроны из зоны контакта Б частично отсасываются, что приводит к появлению положительного потенциала на нижней обкладке конденсатора и избытка структур 3.0.1 в зоне контакта 1, поступивших через диэлектрик конденсатора, а не через диод Д. Порция электронов, отобранная из зоны Б с помощью структур 3.0.1, поступивших от протонов с обкладки Б, засасывается через диод Д, в зону А и компенсирует избыток структур 3.0.1.
Замешкавшиеся по пути электроны и электроны, собравшиеся двигаться к трансформатору со скоростью несколько сантиметров в секунду, последующей полуволной из структур 3.0.2 заталкиваются в зону А. Данная полуволна из структур 3.0.2, казалось бы, через верхний диод должна высосать из зоны А положительный заряд, эквивалентный числу электронов 4.0.2, отобранных предыдущей полуволной из зоны Б. Однако роль положительных зарядов выполняют протоны 5.0.1, а они хоть и являются зарядоактивными, но жестко привязаны к структуре материала обкладки конденсатора. В результате во всех трех разновидностях схем В. В. Авраменко происходит периодический заряд зон А отрицательным зарядом, а зон Б положительным. При этом по проводнику Л текут только потоки из структур 3.0.1 чередующиеся с потоками из структур 3.0.2.
Свободных электронов 4.0.1 в проводнике Л практически нет, они выталкиваются из проводника первыми отрицательными полуволнами в зону А, за счет чего по мере заряда конденсатора проводник и вторичная обмотка трансформатора приобретают небольшой положительный заряд. Полагаю, что именно данный момент и понудил В. В. Авраменко ввести в схему варианта II резистор R
