Знак Вопроса 2005 № 03 | страница 33

Если верить публикациям, причины таких чудес в 1989 г. не смогли объяснить и члены авторитетной Правительственной комиссии.

Однако это вполне посильная задача для ниже публикуемой таблицы. (Основы ее построения см. «Знак вопроса», № 4, 2003 г.; № 3, 2004 г.) Для упрощения понимания работы схем В. В. Авраменко, с позиций ТЗЭС, предварительно вспомним некоторые известные моменты из электротехники высоковольтных электрических полей с промышленной частотой 50 Гц.

Известно, что при передаче на большие расстояния электроэнергия для уменьшения токовых потерь преобразуется в высоковольтную с напряжением до 750 кВ. И, как показывает практика, с повышением напряжения роль электронов как переносчиков электроэнергии уменьшается. Свободных электронов просто начинает не хватать, и роль переносчиков электрической энергии выполняют частицы электростатического поля. Электроны тоже вносят свой вклад в передачу высоковольтной энергии, но главными переносчиками ее становятся структуры электрического поля.

Электрических зарядов в природе два, соответственно в ТЗЭС включены две частицы — электрический протон 3.0.1 и антиэлектрический протон 3.0.2, именно с помощью их и происходит в основном перенос высоковольтной энергии.

Свободные электроны в линиях с переменным напряжением выполняют вспомогательную роль. Длина их пробега в проводниках, как правило, не больше нескольких сантиметров, да и вообще их поток можно прервать. Например, включив в линию конденсатор соответствующей емкости. При этом передача электроэнергии будет сохранена. Частицы электрического поля перенесут энергию через диэлектрик конденсатора.

Вернемся к рассмотрению экспериментов В. В. Авраменко. С позиций ТЗЭС на выводе 2 обмотки трансформатора избыток структур 3.0.1, пропорциональный по величине напряжению, периодически заменяется на избыток структур 3.0.2.

Протоноподобные структуры 3.0.1 (или 3.0.2) со скоростью, в тысячи раз опережающей скорость электронного потока в проводнике, поступают на полупроводниковые диоды и элементы схемы, расположенные за ними. При этом и резистор R, (в схеме рис. 2), имеющий сопротивление 2–5 Мом, для структур 3.0.1 и структур 3.0.2 практически не является сопротивлением.

Механизм распространения структур 3.0.2 по проводнику или диэлектрику можно, с позиций ТЗЭС, представить упрощенно следующим образом:

Структуры 3.0.2 притягиваются протонами, набирают скорость, пролетают мимо них к другим, более активным протонам и так далее. Структуры 3.0.1 подобным образом ведут себя со свободными электронами и электронами, входящими в атомы, но магнитоактивными в определенные моменты.