Публикация состоит из пяти основных серий: I. Исторические писатели (лат. Scriptores, сокращенно SS); II. Законы (Leges, LL); III. Грамоты (королей и императоров) (Diplomata, DD); IV. Письма (Epistolae, Epp); V. Древности (Antiquitates, АА). В процессе работы появился ряд дополнений, а также переиздания, в том числе сокращённые для учебных целей (в пер. на немецкий язык — Geschichtsschreiber der deutschen Vorzeit, v. 1—103, 1847—1959). В подготовке публикаций приняли участие крупные учёные (Г. Вайц, В. Ваттенбах и др.).
p-n-перехо'д, то же, что электронно-дырочный переход.
S-ма'трица, то же, что матрица рассеяния.
S-прибо'ры, полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три р — n-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-xapakтеристика. S-xapakтеристику имеют также при определённых условиях лавинные транзисторы, Ганна диоды и лавинно-инжекционные полупроводниковые диоды.
Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные тиратроны) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются релаксационные генераторы и линии задержки. В перспективе — использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.
Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400
