Самоучитель по радиоэлектронике | страница 10



Магнитопровод трансформатора из тонких штампованных металлических пластин обозначают как Ш20х15. Это значит, что ширина средней части Ш-образной пластины должна быть 20 мм, а толщина стопки сложенных вместе пластин должна составлять 15 мм. Малогабаритные трансформаторы имеют обозначение ША8х10 или ШВЗх4.

Типоразмер ленточного броневого магнитопровода обозначается так же, как и пластинчатого, например ШЛ12х16, ШЛМ16х25, ШЛО8х10. Обозначение тороидального магнитопровода несколько иное, например ОЛ20/32-16, где 20 — внутренний диаметр, 32 — внешний диаметр, 16 — ширина ленты (размеры в миллиметрах).

Обозначение типоразмера Ш-образного ферритового сердечника совпадает с маркировкой магнитопровода из штампованных металлических пластин и имеет вид Ш8х8. Кольцевой ферритовый сердечник имеет маркировку К10,0x6,0x4,5, где 10,0 — внешний диаметр, 6,0 — внутренний диаметр, 4,5 — ширина кольца (размеры в миллиметрах).

1.4. Полупроводниковые приборы

1.4.1. Охлаждение мощных приборов

Для увеличения пропускаемого тока безопасного перегрева применяется охлаждение приборов. Охлаждение предусматривается для силовых диодов и тиристоров в энергетике и для мощных диодов, транзисторов и тиристоров в электронике. Воздушное охлаждение осуществляется путем присоединения к прибору радиатора. Радиаторы могут быть медными или алюминиевыми.

Большое значение имеет проблема контакта прибора с радиатором. При этом должно быть плотное затягивание резьбы, но без ее повреждения. В случае применения алюминия для радиаторов проблема контакта заключается в том, что имеется большая электрохимическая разность потенциалов медь-алюминий — около 1,8 В. Попадание влаги вызывает коррозию алюминия, поэтому применяется гальваническое покрытие основания прибора. Ясно, что без охлаждения, если оно предусмотрено конструкцией, полупроводниковый прибор не сможет обеспечить необходимый режим работы и выйдет из строя.


1.4.2. Температурный дрейф параметров диода

Диоды, как и все полупроводниковые приборы, подвержены температурному дрейфу характеристик, который может быть весьма значительным (именно эта особенность позволяет использовать диод в качестве датчика температуры). Об этом необходимо помнить как при проектировании устройства, так и при размещении его компонентов в корпусе. В частности, наиболее чувствительные элементы следует располагать как можно дальше от источников тепла: радиаторов, трансформаторов и т. д. Диодный детектор пиков, приведенный на рис. 1.9, является примером схемы, очень чувствительной к температуре.