Нанонауки. Невидимая революция | страница 19



Джак Килби изобрел интегральную схему (сейчас мы называем это устройство микросхемой, или чипом). Определение «интегральная» означало, что множество электронных компонентов (транзисторы, резисторы, диоды и т. п.) вместе с соединительными проводниками размещались на поверхности одного полупроводникового кристалла — так называемой подложки. Очень скоро другие инженеры догадались, что транзисторы можно располагать вертикально, устанавливая их друг на друге, — у Килби все компоненты были плоскостными и из одного и того же материала (кристаллического полупроводника). На крошечных — разных! — германиевых пластинках Килби сначала создавал транзистор, потом формировал три резистора и конденсатор, а затем соединял получившиеся детали тоненькими золотыми проводками, припаивая их вручную. Прошло несколько месяцев, и Роберт Нойс из компании Fairchild Semiconductors сумел сформировать все компоненты на поверхности одной-единственной кремниевой пластинки. При этом он обошелся без соединительных проводников, сформировав и все соединения из того же кремния. Вот тогда и родилась первая «настоящая» интегральная схема. А еще через несколько месяцев началось массовое промышленное производство интегральных схем.

ГОРДОН МУР РАЗБИРАЕТСЯ С НЕРАЗБЕРИХОЙ

Чтобы производить интегральные схемы в больших количествах, нужна была технология, обеспечивавшая автоматизацию сборки электронных компонентов на подложке. Поначалу вопрос о миниатюризации даже не поднимался — всем казалось очевидным, что новинка будет внедрена незамедлительно, например в электронике, устанавливаемой на военных реактивных снарядах и ракетах. Электроника следит за устойчивостью полета, и потому такая управляющая система включает в себя гироскоп, замеряющий отклонение от курса, и систему управления подачей топлива в реактивный двигатель. Инженеры-электронщики в союзе с армией физиков извлекли немалые выгоды из космической программы «Аполлон», обеспечивающей постоянный запрос на все более миниатюрную микроэлектронику. В реактивном снаряде или ракете тесно, а каждый лишний грамм груза — это дополнительный расход топлива, поэтому соображения места и массы имеют первостепенное значение. К тому же чем мельче транзистор, тем выше его быстродействие. А если транзисторов в интегральной схеме (в том же объеме) становится больше, то и возможностей у микросхемы прибавляется. Так что плотность расположения транзисторов начиная с 1960-х годов неуклонно возрастала, подчиняясь эмпирической закономерности, замеченной в 1965 году Гордоном Муром.