Но решающим был факт появления в долине Санта-Клары кремниевой технологии с бурным развитием, именно здесь ее главный компонент.
Успех Кремниевой долины был достигнут благодаря технологическому прорыву, осуществленному приведенной В. Шокли в Калифорнию талантливой команды инженеров и исследователей, обеспечивших лидерство в уже бурно развивающейся, несущей революционные изменения в экономике и обществе полупроводниковой промышленности. Уже в 1970 году в долине было 43, а в 1985-м 126 полупроводниковых компаний. Конечно, в бурном развитии полупроводниковых и в целом информационных технологий огромную роль играли калифорнийские университеты и в подготовке кадров, и в создании благотворного исследовательского и предпринимательского климата. Замечу что только в трех вузах: Стэнфордском университете, Калифорнийском университете в Беркли и Калифорнийском технологическом институте в Пасадене 44 профессора стали лауреатами Нобелевской премии в различных областях науки.
Роль государства в этом, как теперь принято говорить, проекте состояла прежде всего в том, что были востребованы Пентагоном и НАСА исследования, разработки и продукция на их основе. Две приоритетные военные программы сыграли при этом решающую роль: подготовка полета космического корабля «Аполлон» на Луну и разработка ракеты «Минитмен». Использование кремниевых чипов в этих программах стало стартом их широкого коммерческого применения.
Теперь о советской Кремниевой долине. Значение открытия в 1947 году точечного транзистора и затем в 1951 - 1952 годах транзистора на p-n структурах в германии и кремнии было оценено у нас в стране сразу. Вполне вероятно, что если бы не мобилизация всех ресурсов, и в том числе, что очень важно, кадровых, на атомную проблему, то создание транзистора могло случиться и в нашей стране, например в Ленинградском физико-техническом институте (ЛФТИ), где еще в довоенные годы были заложены основы физики полупроводников, открыты новые явления и разработана теория, без которых и создание транзистора было бы невозможным. Это отметил в своей Нобелевской лекции и Д. Бардин. В 1949 году были созданы экспериментальные точечные транзисторы и в НИИ - 160 (Фрязино) и в ЛФТИ, а к концу года были освоены в серийном производстве. Таким образом, 1949 год стал годом начала серийного производства точечных транзисторов и в США, и в СССР.
Транзисторы с p-n переходами были созданы и у нас в 1953 году в ЛФТИ, ФИАНЕ, институте академика А.И. Берга Министерства обороны, а ленинградская «Светлана» уже в 1955 году освоила их промышленное производство.
