Что дают вложения в электронику? Один доллар вложений дает сто долларов в конечном продукте. Уровень рентабельности электронной промышленности — сорок процентов. Среднемировой срок окупаемости вложений в электронику — два-три года. Темпы роста в три раза выше темпов ростов внутреннего валового продукта. Одно рабочее место в электронике дает четыре в других отраслях. Один килограмм изделий микроэлектроники по стоимости эквивалентен стоимости ста десяти тонн нефти. Технологии развиваются сегодня бурно. Количество транзисторов в одной интегральной схеме достигло в 2000 году сорока трёх миллионов, а в 2014 году оно составит 4,3 миллиарда. Скорость каналов передачи информации от десяти гигабит в секунду в 2000 году за этот срок возрастёт в тысячу раз, до 10 000 гигабит.
Сегодня шестьдесят пять процентов валового национального продукта Соединенных Штатов Америки определяется промышленностью, связанной с электроникой, основанной на использовании электронных компонентов. В США и Канаде производство электронной техники на душу населения — 1 260 долларов, тогда как в России всего 14 долларов. Объем финансирования научноисследовательских и опытно-конструкторских работ, при сравнении Соединенных Штатов Америки и России, отличается в десятки, если не сотни раз. Говоря об объемах производства электронных компонентов, нужно отметить, что за последние несколько лет Китай резко пошел вверх, а Россия, в общем, находится на бесконечно низком уровне.
Все развитие кремниевой микроэлектроники было связано прежде всего с прогрессом технологии. Основные активные компоненты — полевой транзистор и биполярный транзистор — физически, так сказать, остались такими же, как были открыты в 1947 году, а вот технология совершила гигантский прогресс. Термин "нанотехнологии" возник так: сегодня масштаб измерений кремниевой микроэлектроники переходит от десятых долей микронов в нанометровый диапазон, 45, 60, 70 нанометров — это то, что сегодня осваивается в опытном производстве, а 13 нанометров — это будущее, и не такое отдаленное. Переход на наноразмеры в гетероструктурах произошел уже давно, а в кремниевой микроэлектронике происходит сегодня. Эти изменения будут иметь существенные физические последствия, могут начать работать квантоворазмерные явления и эффекты.
Несколько слов о втором направлении — гетероструктурах. Здесь основой служит развитие технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур, представляющих собой новый класс материалов, в которых мы управляем всеми основными свойствами. Если до эпохи гетероструктур мы имели материалы, возникшие естественным образом, а в лабораториях мы просто их повторяли, то эпоха гетероструктур привела к созданию материалов, свойства которых определяются, вообще говоря, замыслом и новыми принципами, которые привносятся в ходе создания гетероструктур. С помощью технологических методов мы даже получаем возможность создания того, что называется теперь созданием "искусственных атомов".
