Благодаря этому все открытые страницы будут обновляться при наличии пустого цикла.
DRAM Interleave Time (Время чередования DRAM)
Обычные опции: 0ms, 0.5ms.
Эта функция BIOS определяет размер дополнительной задержки между обращениями к банку памяти при использовании функции SDRAM Bank Interleave.
Конечно, чем меньше задержка, тем быстрее модуль памяти может переключаться между банками; это ведет к повышению производительности.
Поэтому рекомендуем настроить для данной опции минимально допустимое значение. В данном случае, это 0ms (дополнительная задержка между обращениями к банку отсутствует). Используйте настройку 0.5ms только в том случае, если у вас возникли проблемы со значением 0ms.
DRAM PreChrg to Act CMD
Обычные опции: 2T, 3T, 4T.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS (Row Address Strobe – Импульс адреса строки). Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS (Column Address Strobe – Импульс адреса столбца). Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Имеет место небольшая задержка перед активацией другой строки. Данная задержка называется tRP.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это третья цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRP для него будет равна 4 циклам.
Как и функция SDRAM Trp Timing Value, эта функция BIOS управляет временем обновления RAS (tRP). Под временем обновления подразумевается временной интервал между завершением команды Precharge и моментом, когда эта строка может быть активирована. Отсюда и возникло название опции DRAM PreChrg to Act CMD, которое является сокращением от DRAM Precharge Command to Activate Command (Команда между обновлением DRAM и активацией).
Если период RAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2T производительность повышается, так как новая строка может быть активирована быстрее.
Однако времени обновления 2T может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. При этом активная строка может потерять свое содержимое до возврата в банк памяти. Это приведет к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считать данные или записать их в активную строку.
